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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维存储器-CN201811113446.X有效
发明人：李远;潘杰;万先进;朱宏斌;鲍琨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器包括：衬底，具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；NAND串，覆盖于所述沟道孔的侧壁表面；沟道孔插塞本发明简化了三维存储器的制造步骤，降低了三维存储器的制造成本，并有助于改善三维存储器的性能。
三维存储器

[实用新型]三维存储器-CN201821558971.8有效
发明人：李远;潘杰;万先进;朱宏斌;鲍琨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器包括：衬底，具有堆叠结构以及沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干层栅极层；NAND串，覆盖于所述沟道孔的侧壁表面；沟道孔插塞本实用新型简化了三维存储器的制造步骤，降低了三维存储器的制造成本，并有助于改善三维存储器的性能。
三维存储器沟道堆叠结构插塞衬底本实用新型栅极层垂直半导体制造技术侧壁表面依次排列制造成本电连接贯穿覆盖制造

[发明专利]三维存储器-CN201811092868.3在审
发明人：向银松;刘隆冬;任连娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀上述方法能够降低三维存储器的形成难度，提高形成的三维存储器的性能。
三维存储器沟道堆叠结构牺牲层绝缘层衬底表面方向相邻绝缘层衬底表面交替堆叠栅介质层回刻蚀孔侧壁孔结构衬底填充垂直贯穿

[发明专利]三维存储器-CN201811092434.3在审
发明人：向银松;刘隆冬;任连娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽上述三维存储器的性能得到提高。
三维存储器堆叠结构绝缘层存储控制栅极孔结构沟道相邻绝缘层交替堆叠贯穿

[实用新型]三维存储器-CN201821536509.8有效
发明人：向银松;刘隆冬;任连娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述存储堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于绝缘层的宽度，使得相邻绝缘层之间具有凹槽上述三维存储器的性能得到提高。
三维存储器堆叠结构绝缘层存储控制栅极孔结构沟道本实用新型相邻绝缘层交替堆叠贯穿

[实用新型]三维存储器-CN201821530871.4有效
发明人：向银松;刘隆冬;任连娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三维存储器，所述三维存储器包括：提供衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的牺牲层和绝缘层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；沿所述沟道孔侧壁对所述牺牲层进行回刻蚀上述方法能够降低三维存储器的形成难度，提高形成的三维存储器的性能。
三维存储器沟道堆叠结构牺牲层绝缘层衬底表面方向本实用新型相邻绝缘层衬底表面交替堆叠栅介质层回刻蚀孔侧壁孔结构衬底填充垂直贯穿

[实用新型]三维存储器-CN201820853395.3有效
发明人：李思晢;华文宇;肖莉红;赵祥辉;张帜;张富山 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底之上，包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的栅极和层间绝缘层，并具有位于端部的若干层台阶；所述栅极具有沿自所述衬底指向所述堆叠结构的方向突出的增厚部，所述增厚部位于所述台阶的顶面本实用新型避免了三维存储器易出现失效的问题，提高了三维存储器的存储性能。
三维存储器衬底本实用新型堆叠结构半导体制造技术原子层沉积层层间绝缘层侧壁接触存储性能电性隔离交替堆叠增厚部位增厚部顶面两层绝缘指向垂直

[实用新型]三维存储器-CN201820879997.6有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域；导电支撑柱，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶区域的堆叠结构；隔离层本实用新型避免了SEG方法形成的台阶区域支撑柱形貌不均匀的问题，确保了三维存储器的产率，并提高了三维存储器的性能。
三维存储器衬底导电支撑柱堆叠结构台阶区域栅极层本实用新型垂直半导体制造技术形貌电性隔离依次排列不均匀隔离层支撑柱产率贯穿

[发明专利]三维存储器-CN201710400313.X有效
发明人：约翰·霍普金斯;达尔文·法兰塞达·范;法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉;詹姆士·布莱登;欧瑞里欧·吉安卡罗·莫瑞;史瑞坎特·杰亚提 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本文大体上论述三维存储器单元及制造及使用所述存储器单元的方法。在一或多个实施例中，三维垂直存储器可包含存储器堆叠。此存储器堆叠可包含存储器单元及介于邻近存储器单元之间的电介质，每一存储器单元包含控制栅极及电荷存储结构。所述存储器单元可进一步包含介于所述电荷存储结构与所述控制栅极之间的势垒材料，所述电荷存储结构及所述势垒材料具有实质上相等的尺寸。
三维存储器

[发明专利]三维存储器-CN201480013075.1有效
发明人：约翰·霍普金斯;达尔文·法兰塞达·范;法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉;詹姆士·布莱登;欧瑞里欧·吉安卡罗·莫瑞;史瑞坎特·杰亚提 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本文大体上论述三维存储器单元及制造及使用所述存储器单元的方法。在一或多个实施例中，三维垂直存储器可包含存储器堆叠。此存储器堆叠可包含存储器单元及介于邻近存储器单元之间的电介质，每一存储器单元包含控制栅极及电荷存储结构。所述存储器单元可进一步包含介于所述电荷存储结构与所述控制栅极之间的势垒材料，所述电荷存储结构及所述势垒材料具有实质上相等的尺寸。
三维存储器

[发明专利]三维存储器-CN202010655097.5在审
发明人：徐伟;杨星梅;王健舻;吴继君;黄攀;周文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于第一沟道孔和第二沟道孔连接处的功能层的问题。所述三维存储器包括沟道结构以及半导体柱塞，半导体柱塞穿过最靠近衬底栅极层及衬底，并与沟道结构的沟道层接触，或者沟道结构穿过最靠近衬底的栅极层，并与位于衬底上的半导体柱塞接触；从而沟道层通过半导体柱塞与衬底接触并形成电连接本发明提供的三维存储器，能够在实现衬底与沟道层电性连接的同时，可避免损伤位于第二沟道孔与第一沟道孔连接处的功能层，提高三维存储器的良率和可靠性。
三维存储器

[发明专利]三维存储器-CN202010655143.1有效
发明人：徐伟;杨星梅;王健舻;吴继君;黄攀;周文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于第一沟道孔和第二沟道孔连接处的功能层的问题。所述三维存储器其包括半导体层，半导体层穿过最靠近衬底的栅极层并与衬底接触，并且在平行于衬底的方向，半导体层穿过最靠近衬底的功能层并与沟道层接触；从而沟道层通过半导体层与衬底接触并形成电连接。本发明提供的三维存储器，能够在实现衬底与沟道层电性连接的同时，可避免损伤位于第二沟道孔与第一沟道孔连接处的功能层，提高三维存储器的良率和可靠性。
三维存储器

[发明专利]三维存储器-CN201811108506.9在审
发明人：肖莉红;胡斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器，包括阶梯结构，所述阶梯结构具有多个台阶，每个台阶包括从上到下交替堆叠的至少一栅极层和至少一介质层，至少其中之一所述栅极层的边缘构成所述台阶的顶表面，所述台阶的顶表面上形成有导电层
栅极层导电层三维存储器阶梯结构顶表面从上到下交替堆叠介质层穿通刻蚀覆盖

[发明专利]三维存储器-CN201811202855.7在审
发明人：华子群;夏志良;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器，包括：位于衬底上沿第一方向延伸的一个或多个阵列共源极；以及位于所述一个或多个阵列共源极上的第一导电图案，包括：沿第二方向延伸的一个或多个连接线，电连接至少一个所述阵列共源极；本发明的三维存储器中的连接线的两侧均布置有伪连接线，降低了连接线与位线的短路风险。另外，由于连接线的两侧均布置有伪连接线，在使用自对准双重图形化等工艺来形成第一导电图案时，提供了工艺窗口保护。
连接线方向延伸三维存储器共源极导电图案多个阵列双重图形化工艺窗口短路电连接自对准个位衬底电阻位线

[发明专利]三维存储器-CN201910124420.3在审
发明人：胡斌;肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器，包括：半导体结构，所述半导体结构具有衬底、位于衬底上的堆叠结构以及位于所述衬底中的第一源极线；穿过所述堆叠结构的第一沟道孔和第二沟道孔，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔交替排列；
沟道源极线衬底堆叠结构垂直沟道结构半导体结构三维存储器隔离层穿过插塞交替排列

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